7月15日，长鑫科技发布科创板首次公开发行股票发行公告，并举办网上投资者交流会，公司科创板上市进程正式迈入关键阶段，对外公开了本次上市募资方向、技术布局规划及长期发展战略。
据披露，本次上市募集资金将主要用于先进工艺研发、产能建设两大核心项目，进一步夯实企业技术研发根基，提升存储芯片产业化水平，助推国内DRAM产业整体升级发展。
作为国内DRAM领域核心标杆企业，长鑫科技在2019年成功推出国内首颗自主设计8Gb DDR4芯片，打破行业发展壁垒，实现中国大陆DRAM产业历史性突破。目前，企业市场排名稳居国内第一、全球第四。据路演信息显示，长鑫科技秉持长期发展思维，不追逐短期赛道红利，积极抢抓AI算力带来的存储增量市场，针对性优化服务器、AI算力场景专用存储产品。同时，企业依托多元化下游布局，有效对冲DRAM行业强周期性带来的经营波动风险。
技术研发层面，长鑫科技持续保持高研发投入，采用行业领先的跳代研发模式。数据显示，截至2025年末，公司研发人员占比超30%，境内外授权专利累计近7000项。目前，企业已实现DDR5、LPDDR5/5X高端存储产品规模量产，持续缩小与国际头部存储厂商的技术差距。此外，企业通过长期股权激励、核心团队股份超长锁定期等机制，稳固核心人才队伍，保障企业长期深耕存储主业、持续攻坚核心技术。
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